인피니언, 업계 최초 300mm 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼 기반 전력 디바이스 구현 성공

김형석 기자

작성일 2026-11-12 18:02

인피니언 테크놀로지스는 오스트리아 빌라흐 공장에서 300mm 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼를 성공적으로 가공하여 실제 동작하는 전력 디바이스를 구현했다고 밝혔다. 이 기업은 실제 반도체 제조 환경에서 기존 실리콘(Si) 생산 장비를 활용해 이를 구현한 업계 최초의 기업이라고 전해졌다.

300mm 웨이퍼는 200mm 웨이퍼 대비 웨이퍼당 생산 가능한 칩 수가 2.3배 많아 생산 효율을 크게 높일 수 있다. 이번 성과는 향후 300mm SiC 기술의 본격적인 산업화를 위한 기반을 마련하고, 자동차, 재생에너지, 산업 및 AI 데이터센터 분야 고객에게 비용 효율적이고 안정적인 SiC 공급 기반을 제공할 것으로 기대된다.

요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO는 “이번 기술적 이정표는 전력 시스템 분야에서 인피니언의 리더십을 한층 강화한다”며 “실리콘, 질화갈륨에 이어 실리콘 카바이드에서도 300mm 웨이퍼 기술을 구현함으로써, 반도체 생산을 확대하고 지속적인 성장을 추진할 수 있는 선도적인 입지를 확보했다”고 말했다.

SiC는 전력 손실을 줄이고 높은 전력 밀도를 구현하며 고전압·고온 환경에서도 효율적인 동작을 지원하는 핵심 전력반도체 소재로 알려져 있다. 트랙션 인버터, 온보드 충전기, 전기차 충전기, 대규모 에너지 저장 시스템, 산업용 드라이브 및 무정전 전원공급장치(UPS) 등에 활용되며, AI 데이터센터에서도 반도체 변압기(SST), 반도체 차단기(SSCB) 및 전원공급장치(PSU)를 중심으로 수요가 확대되고 있다. 인피니언은 CoolSiC™ 포트폴리오를 통해 이러한 애플리케이션을 지원한다고 밝혔다.

인피니언은 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 등 주요 전력반도체 소재를 기반으로 반도체를 생산하고 있다. 앞서 지난 10월에는 오스트리아 빌라흐에 300mm GaN 전력반도체 양산 시설 구축을 위해 약 11억 유로를 투자한다고 발표한 바 있다.

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