도시바, AI 데이터센터 효율 높이는 차세대 SiC MOSFET 샘플 출하 개시

한국교회공보 기자

작성일 2026-05-23 19:26

도시바 일렉트로닉 디바이스 앤 스토리지(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)가 차세대 인공지능(AI) 데이터센터의 전원 공급 시스템과 재생에너지 관련 장비에 최적화된 1200V 트렌치 게이트 실리콘카바이드(SiC) MOSFET, 'TW007D120E'의 테스트 샘플 출하를 시작했다.

생성형 AI의 확산으로 데이터센터의 전력 소비량이 급증하는 가운데, 고출력 AI 서버와 800V 고전압 직류(HVDC) 아키텍처 도입이 확대되면서 고효율·고밀도 전원 공급 시스템에 대한 수요가 높아지고 있다. 도시바는 이러한 시장 요구에 부응하기 위해 TW007D120E를 개발했으며, 이는 전력 소비 절감과 더불어 시스템의 소형화 및 고효율화에 기여할 것으로 기대된다.

TW007D120E는 도시바의 독자적인 트렌치 게이트 구조를 기반으로 업계 최고 수준의 단위 면적당 낮은 온-저항(RDS(on) A)을 구현했다. 이를 통해 전도 손실과 스위칭 손실을 효과적으로 줄였으며, 기존 제품 대비 RDS(on) A를 약 58% 감소시키고 성능 지수(FOM)인 '온-저항 × 게이트-드레인 전하(RDS(on) × Qgd)'를 약 52% 개선했다. 이는 데이터센터 전원 공급 시스템의 고효율 작동과 발열 감소를 실현하여 시스템 전체 효율을 크게 향상시킨다.

또한, 상부 냉각(top-side cooling)을 지원하는 QDPAK 패키지를 적용하여 전력 밀도 극대화 및 방열 성능 향상에 기여한다. 도시바는 2026회계연도 중 TW007D120E의 양산을 시작하고, 자동차 애플리케이션용 제품 개발을 포함해 라인업을 지속적으로 확장할 계획이다.

도시바는 이번 SiC MOSFET을 통해 데이터센터 및 산업 장비의 전력 효율을 개선하고 이산화탄소 배출량 감축에 기여함으로써 탈탄소 사회 구현에 앞장설 것이라고 밝혔다. TW007D120E는 신에너지·산업기술종합개발기구(NEDO)의 지원을 받는 프로젝트 성과를 기반으로 개발되었다.

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